Title of article :
Effective boundary conditions for carriers in ultrathin SOI channels
Author/Authors :
Sverdlov، نويسنده , , V.A.، نويسنده , , Oriols، نويسنده , , X.، نويسنده , , Likharev، نويسنده , , K.K.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2003
Keywords :
MOSFET , nanoelectronics. , Backscattering , Boltzmannequation , ballistic transfer , Monte Carlo simulation , double-gate transistors
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
