Author/Authors :
John، نويسنده , , D.L.، نويسنده , , Castro، نويسنده , , L.C.، نويسنده , , Clifford، نويسنده , , J.، نويسنده , , Pulfrey، نويسنده , , D.L.، نويسنده ,
Keywords :
electrostatic analysis , Field-effect transistors (FETs) , Schottky barriers , Carbon nanotube transistors , semiconductor device modeling. , Nanotechnology