Bipolar conduction and drain-induced barrier thinning in carbon nanotube FETs

Clifford، نويسنده , , J.، نويسنده , , John، نويسنده , , D.L.، نويسنده , , Pulfrey، نويسنده , , D.L.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2003

5

181

185

semiconductor device modeling. , Schottky barriers , carbon nanotube transistors , Bipolar transistors , quasi-equilibriumanalysis , Field-effect transistors (FETs) , Nanotechnology

IEEE Transactions on Nanotechnology

2003

IEEE Transactions on Nanotechnology

398347