Large Coulomb blockade oscillations at room temperature in ultranarrow wire channel MOSFETs formed by slight oxidation process

Saitoh، نويسنده , , M.، نويسنده , , Murakami، نويسنده , , T.، نويسنده , , Hiramoto، نويسنده , , T.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2003

5

241

245

ultranarrow wire channel. , silicon single-electron transistor(SET) , potential fluctuations , Point-contact channel , Room-temperature operation , thermal oxidation

IEEE Transactions on Nanotechnology

2003

IEEE Transactions on Nanotechnology

398355