Twin-bit silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory by inverted sidewall patterning (TSM-ISP)

Yong Kyu Lee، نويسنده , , Tae-Hun Kim، نويسنده , , Sang Hoon Lee، نويسنده , , Jong Duk Lee، نويسنده , , Byung-Gook Park، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2003

7

246

252

two bit. , Oxide–nitride–oxide (ONO) , Sidewall , simulation , twin-bitsilicon–oxide–nitride–oxide–silicon memory (TSM)-inverted sidewallpatterning (ISP) , silicon–oxide–nitride–oxide–silicon (SONOS) , Program

IEEE Transactions on Nanotechnology

2003

IEEE Transactions on Nanotechnology

398356