Title of article :
Optimization of extrinsic source/drain resistance in ultrathin body double-gate FETs
Author/Authors :
Shenoy، نويسنده , , R.S.، نويسنده , , Saraswat، نويسنده , , K.C، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2003
Pages :
6
From page :
265
To page :
270
Keywords :
Double-gate MOSFETs , MOS devices , Silicon , series resistance , simulation. , MOS device scaling , MOSFETs
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year :
2003
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number :
398359
Link To Document :
https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=398359
بازگشت