Title of article
On the FinFET extension implant energy
Author/Authors
Gossmann، نويسنده , , H.-J.L.، نويسنده , , Agarwal، نويسنده , , A.، نويسنده , , Parrill، نويسنده , , T.، نويسنده , , Rubin، نويسنده , , L.M.، نويسنده , , Poate، نويسنده , , J.M.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2003
Pages
6
From page
285
To page
290
Keywords
extension-implant , MOSFET , semiconductor device and process modeling , spike-annealing , FinFET , Double-gate MOSFET , ultrashallow junction.
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2003
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398362
Link To Document