مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Monte Carlo simulation of symmetric and asymmetric double-gate MOSFETs using Bohm-based quantum correction

Title of article :

Monte Carlo simulation of symmetric and asymmetric double-gate MOSFETs using Bohm-based quantum correction

Author/Authors :

Bo Wu، نويسنده , , Ting-wei Tang، نويسنده , , Joonwoo Nam، نويسنده , , Jyun-Hwei Tsai، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2003

Pages :

From page :

291

To page :

294

Keywords :

Bohm potential , double gate (DG) MOSFET , quantum corrected Monte Carlo simulation.

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Serial Year :

2003

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Record number :

398363

Link To Document :