Coulomb-blockade in nanometric Si-film silicon-on-nothing (SON) MOSFETs

Monfray، نويسنده , , S.، نويسنده , , A.Souifi، نويسنده , , A.، نويسنده , , Boeuf، نويسنده , , F.، نويسنده , , A.B.; Ortolland، نويسنده , , C.، نويسنده , , Poncet، نويسنده , , A.، نويسنده , , G. Militaru، نويسنده , , L.، نويسنده , , Chanemougame، نويسنده , , D.، نويسنده , , SKOTNICKI، Stefan H. نويسنده , , T.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2003

6

295

300

fully-depleted siliconon insulator (FDSOI) , low doped drain (LDO) , Coulomb-blockade , MOSFET , singleelectroneffects. , CMOS

IEEE Transactions on Nanotechnology

2003

IEEE Transactions on Nanotechnology

398364