Single electron effects and structural effects in ultrascaled silicon nanocrystal floating-gate memories

Molas، نويسنده , , G.، نويسنده , , Barbara De Salvo، نويسنده , , B.، نويسنده , , Ghibaudo، نويسنده , , G.، نويسنده , , Mariolle، نويسنده , , D.، نويسنده , , Toffoli، نويسنده , , A.، نويسنده , , Buffet، نويسنده , , N.، نويسنده , , Puglisi، نويسنده , , R.، نويسنده , , Lombardo، نويسنده , , S.، نويسنده , , Deleonibus، نويسنده , , S، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2004

7

42

48

Electron beam (e-beam) lithography , memories , Quantum dots , silicon-on-insulator (SOI) technology.

IEEE Transactions on Nanotechnology

2004

IEEE Transactions on Nanotechnology

398384