• Title of article

    Nanometer-scale analysis of current limited stresses impact on SiO/sub 2/ gate oxide reliability using C-AFM

  • Author/Authors

    Porti، نويسنده , , M.، نويسنده , , Nafria، M. نويسنده , , M.، نويسنده , , Aymerich، نويسنده , , X.، نويسنده ,

  • Issue Information
    روزنامه با شماره پیاپی سال 2004
  • Pages
    6
  • From page
    55
  • To page
    60
  • Keywords
    current limited stress , SiO2 films. , metal–oxide–semiconductor (MOS) devices , Dielectric breakdown , atomic force microscopy
  • Journal title
    IEEE Transactions on Nanotechnology
  • Serial Year
    2004
  • Journal title
    IEEE Transactions on Nanotechnology
  • Record number

    398386

    • Link To Document
    https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=398386