Title of article
Experimental study of transport in nanoscale planar MOSFETs near the ballistic limit
Author/Authors
Boeuf، نويسنده , , F.، نويسنده , , Jehl، نويسنده , , X.، نويسنده , , Sanquer، نويسنده , , M.، نويسنده , , SKOTNICKI، Stefan H. نويسنده , , T.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2004
Pages
5
From page
105
To page
109
Keywords
Charge carrier mobility , MOS devices , MOSFETs , NANOTECHNOLOGY , superconductor-insulator-semiconductordevices , tunneling.
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2004
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398394
Link To Document