Size dependence of carrier recombination efficiency in GaN quantum dots

Neogi، نويسنده , , A.، نويسنده , , Everitt، نويسنده , , H.، نويسنده , , Morkoc، نويسنده , , H.، نويسنده , , Kuroda، نويسنده , , T.، نويسنده , , Tackeuchi، نويسنده , , A.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2005

3

297

299

molecular-beam epitaxy , time-resolved photoluminescence(PL). , quantum dots(QDs) , semiconductor nanostructures , GaN

IEEE Transactions on Nanotechnology

2005

IEEE Transactions on Nanotechnology

398490