The science and technology of magnetoresistive tunneling memory

Engel، نويسنده , , B.N.، نويسنده , , Rizzo، نويسنده , , N.D.، نويسنده , , Janesky، نويسنده , , J.، نويسنده , , Slaughter، نويسنده , , J.M.، نويسنده , , Dave، نويسنده , , R.، نويسنده , , DeHerrera، نويسنده , , M.، نويسنده , , Durlam، نويسنده , , M.، نويسنده , , Tehrani، نويسنده , , S.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2002

7

32

38

magnetoresistive device , magnetoresistive random accessmemory (MRAM) , MRAM integration , random access memories (RAMs). , Magnetic tunnel junction , micromagnetic switching , Magnetic film memories

IEEE Transactions on Nanotechnology

2002

IEEE Transactions on Nanotechnology

398529