Intrinsic fluctuations in sub 10-nm double-gate MOSFETs introduced by discreteness of charge and matter

Brown، نويسنده , , A.R.، نويسنده , , Asenov، نويسنده , , A.، نويسنده , , Watling، نويسنده , , J.R.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2002

6

195

200

Charge carrier processes , lithography , MOSFETs , semiconductor device doping , semiconductor devicemodeling , Stochastic processes.

IEEE Transactions on Nanotechnology

2002

IEEE Transactions on Nanotechnology

398549