مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Breakdown of universal mobility curves in sub-100-nm MOSFETs

Title of article :

Breakdown of universal mobility curves in sub-100-nm MOSFETs

Author/Authors :

Kaya، نويسنده , , S.، نويسنده , , Asenov، نويسنده , , A.، نويسنده , , Roy، نويسنده , , S.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2002

Pages :

From page :

260

To page :

264

Keywords :

Brownian dynamics , Device simulation , MOSFET , universal mobility. , interfaceroughness scattering

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Serial Year :

2002

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Record number :

398560

Link To Document :