Electron holographic characterization of ultra-shallow junctions in Si for nanoscale MOSFETs

Chakraborty، نويسنده , , P.S.، نويسنده , , McCartney، نويسنده , , M.R.، نويسنده , , Jing Li، نويسنده , , Gopalan، نويسنده , , C.، نويسنده , , Gilbert، نويسنده , , M.، نويسنده , , Goodnick، نويسنده , , S.M.، نويسنده , , Thornton، نويسنده , , T.J.، نويسنده , , Kozicki، نويسنده , , M.N.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2003

8

102

109

secondary ion massspectrometry (SIMS) , ultra-shallow junction (USJ). , Dopant activation , electrical junction depth(EJD) , Electron holography , metallurgical junction depth (MJD) , MOSFET , rapid thermal diffusion (RTD)

IEEE Transactions on Nanotechnology

2003

IEEE Transactions on Nanotechnology

398577