Systematic electrical characteristics of ideal rectangular cross section Si-Fin channel double-gate MOSFETs fabricated by a wet process

Yongxun Liu، نويسنده , , Ishii، نويسنده , , K.، نويسنده , , Tsutsumi، نويسنده , , T.، نويسنده , , Masahara، نويسنده , , M.، نويسنده , , Takashi Oguro and Kouei Sekigawa، نويسنده , , T.، نويسنده , , Sakamoto، نويسنده , , K.، نويسنده , , Takashima، نويسنده , , H.، نويسنده , , Yamauchi، نويسنده , , H.، نويسنده , , Suzuki، نويسنده , , E.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2003

7

198

204

(110)-oriented SOI. , short-channel effects , Double-gate MOSFET , finFET , XMOS , Fin-typedouble-gate MOSFET (FXMOSFET) , orientation-dependentetching

IEEE Transactions on Nanotechnology

2003

IEEE Transactions on Nanotechnology

398590