Title of article :
Erbium silicided n-type Schottky barrier tunnel transistors for nanometer regime applications
Author/Authors :
Moongyu Jang، نويسنده , , Seongjae Lee، نويسنده , , Kyoungwan Park، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2003
Pages :
5
From page :
205
To page :
209
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year :
2003
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number :
398591
Link To Document :
بازگشت