Ambipolar Coulomb blockade characteristics in a two-dimensional Si multidot device

Nuryadi، نويسنده , , R.، نويسنده , , Ikeda، نويسنده , , H.، نويسنده , , Ishikawa، نويسنده , , Y.، نويسنده , , Tabe، نويسنده , , M.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2003

5

231

235

Ambipolar Coulomb blockade , Schottky contact , Si multidot , single electron tunneling , single hole tunneling.

IEEE Transactions on Nanotechnology

2003

IEEE Transactions on Nanotechnology

398594