Fabrication and program/erase characteristics of 30-nm SONOS nonvolatile memory devices

Suk-Kang Sung، نويسنده , , Il-Han Park، نويسنده , , Chang Ju Lee، نويسنده , , Yong Kyu Lee، نويسنده , , Jong Duk Lee، نويسنده , , Byung-Gook Park، نويسنده , , Soo Doo Chae، نويسنده , , Chung Woo Kim، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2003

7

258

264

Band-to-band (BTB) , F–N tunneling , channel hot electron (CHE)injection , hole injection , nonvolatile memory , silicon–oxide–nitride–oxide–silicon (SONOS) , 30-nm.

IEEE Transactions on Nanotechnology

2003

IEEE Transactions on Nanotechnology

398599