Enhancement of adjustable threshold voltage range by substrate bias due to quantum confinement in ultrathin body SOI pMOSFETs

Tsutsui، نويسنده , , G.، نويسنده , , Hideo Nagumo، نويسنده , , T.، نويسنده , , Hiramoto، نويسنده , , T.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2003

5

314

318

ultrathin body SOI MOSFET , Body effect factor , quantum confinement effects , threshold voltage , variablethreshold CMOS (VTCMOS).

IEEE Transactions on Nanotechnology

2003

IEEE Transactions on Nanotechnology

398608