Title of article
Enhancement of adjustable threshold voltage range by substrate bias due to quantum confinement in ultrathin body SOI pMOSFETs
Author/Authors
Tsutsui، نويسنده , , G.، نويسنده , , Hideo Nagumo، نويسنده , , T.، نويسنده , , Hiramoto، نويسنده , , T.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2003
Pages
5
From page
314
To page
318
Keywords
ultrathin body SOI MOSFET , Body effect factor , quantum confinement effects , threshold voltage , variablethreshold CMOS (VTCMOS).
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2003
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398608
Link To Document