Title of article
Nanometer-scale analysis of current limited stresses impact on SiO/sub 2/ gate oxide reliability using C-AFM
Author/Authors
Porti، نويسنده , , M.، نويسنده , , Nafria، M. نويسنده , , M.، نويسنده , , Aymerich، نويسنده , , X.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2004
Pages
6
From page
55
To page
60
Keywords
atomic force microscopy , current limited stress , Dielectric breakdown , SiO2 films. , metal–oxide–semiconductor (MOS) devices
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2004
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398627
Link To Document