Experimental study of transport in nanoscale planar MOSFETs near the ballistic limit

Boeuf، نويسنده , , F.، نويسنده , , Jehl، نويسنده , , X.، نويسنده , , Sanquer، نويسنده , , M.، نويسنده , , SKOTNICKI، Stefan H. نويسنده , , T.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2004

5

105

109

Charge carrier mobility , tunneling. , MOS devices , MOSFETs , superconductor-insulator-semiconductordevices , NANOTECHNOLOGY

IEEE Transactions on Nanotechnology

2004

IEEE Transactions on Nanotechnology

398635