Title of article
Impact of SOI thickness fluctuation on threshold voltage variation in ultra-thin body SOI MOSFETs
Author/Authors
Tsutsui، نويسنده , , G.، نويسنده , , Saitoh، نويسنده , , M.، نويسنده , , Hideo Nagumo، نويسنده , , T.، نويسنده , , Hiramoto، نويسنده , , T، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2005
Pages
5
From page
369
To page
373
Keywords
substrate bias , Quantum confinement effects , ultra-thin body (UTB) SOI MOSFET. , threshold voltagevariation , silicon-on-insulator(SOI) thickness fluctuation
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2005
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398743
Link To Document