Title of article :
Manipulation of periodic Coulomb blockade oscillations in ultra-scaled memories by single electron charging of silicon nanocrystal floating gates
Author/Authors :
Molas، نويسنده , , G.، نويسنده , , Jehl، نويسنده , , X.، نويسنده , , Sanquer، نويسنده , , M.، نويسنده , , Barbara De Salvo، نويسنده , , Lafond، نويسنده , , D.، نويسنده , , Deleonibus، نويسنده , , S.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2005
Pages :
6
From page :
374
To page :
379
Keywords :
electron beam lithography , resonant tunneling (RT) devices , semiconductormemories , silicon-on-insulator (SOI) technology. , Quantum dots , Cryogenic electronics
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year :
2005
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number :
398744
Link To Document :
بازگشت