Performance modeling of resonant tunneling-based random-access memories

Hui Zhang، نويسنده , , Mazumder، نويسنده , , P.، نويسنده , , Li Ding، نويسنده , , Kyounghoon Yang، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2005

9

472

480

Critical charge , power consumption , dynamic random access memory(DRAM) , tunnelingbasedrandom-access memory (TRAM). , soft error rate (SER)

IEEE Transactions on Nanotechnology

2005

IEEE Transactions on Nanotechnology

398757