A new 40-nm SONOS structure based on backside trapping for nanoscale memories

Ranica، نويسنده , , R.، نويسنده , , Jean-Charles Villaret، نويسنده , , A.، نويسنده , , Mazoyer، نويسنده , , P.، نويسنده , , Monfray، نويسنده , , S.، نويسنده , , Chanemougame، نويسنده , , D.، نويسنده , , Masson، نويسنده , , P.، نويسنده , , Regnier، نويسنده , , A.، نويسنده , , Dray، نويسنده , , C.N.، نويسنده , , Bez، نويسنده , , R.، نويسنده , , SKOTNICKI، Stefan H. نويسنده , , T.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2005

7

581

587

nitride traps , silicon–oxide–nitride–oxide–silicon (SONOS) memory. , CMOS integrated memories , charge trapping , nonvolatile memories (NVMs)

IEEE Transactions on Nanotechnology

2005

IEEE Transactions on Nanotechnology

398773