مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - A New Method to Extract Carrier Velocity in Sub-0.1-$mu$m MOSFETs Using RF Measurements

Title of article :

A New Method to Extract Carrier Velocity in Sub-0.1-$mu$m MOSFETs Using RF Measurements

Author/Authors :

Lee، نويسنده , , S، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2006

Pages :

From page :

163

To page :

166

Keywords :

Parameterestimation , sub-0.1 m. , -parameters , Carrier velocity , device modeling , MOSFET

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Serial Year :

2006

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Record number :

398820

Link To Document :