Title of article :
Design and optimization of two-bit double-gate nonvolatile memory cell for highly reliable operation
Author/Authors :
Seongjae Cho، نويسنده , , Il-Han Park، نويسنده , , Tae Hun Kim، نويسنده , , Jae Sung Sim، نويسنده , , Ki-Whan Song، نويسنده , , Jong Duk Lee، نويسنده , , Hyungcheol Shin، نويسنده , , Byung-Gook Park، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2006
Pages :
6
From page :
180
To page :
185
Keywords :
Operating schemes , read disturbance , two-bitfloating-gate-type nonvolative memory (NVM) cell.
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year :
2006
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number :
398823
Link To Document :
https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=398823
