Title of article
Design and optimization of two-bit double-gate nonvolatile memory cell for highly reliable operation
Author/Authors
Seongjae Cho، نويسنده , , Il-Han Park، نويسنده , , Tae Hun Kim، نويسنده , , Jae Sung Sim، نويسنده , , Ki-Whan Song، نويسنده , , Jong Duk Lee، نويسنده , , Hyungcheol Shin، نويسنده , , Byung-Gook Park، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2006
Pages
6
From page
180
To page
185
Keywords
Operating schemes , read disturbance , two-bitfloating-gate-type nonvolative memory (NVM) cell.
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2006
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398823
Link To Document