Title of article
Active properties of carbon nanotube field-effect transistors deduced from S parameters measurements
Author/Authors
Bethoux، نويسنده , , J.-M.، نويسنده , , Happy، نويسنده , , H.، نويسنده , , Siligaris، نويسنده , , A.، نويسنده , , Dambrine، نويسنده , , G.، نويسنده , , Borghetti، نويسنده , , J.، نويسنده , , Derycke، نويسنده , , V.، نويسنده , , Bourgoin، نويسنده , , J.-P.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2006
Pages
8
From page
335
To page
342
Keywords
Carbon nanotube field-effect transistor(CNT-FET) , device modeling , microwave measurement.
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2006
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398845
Link To Document