Active properties of carbon nanotube field-effect transistors deduced from S parameters measurements

Bethoux، نويسنده , , J.-M.، نويسنده , , Happy، نويسنده , , H.، نويسنده , , Siligaris، نويسنده , , A.، نويسنده , , Dambrine، نويسنده , , G.، نويسنده , , Borghetti، نويسنده , , J.، نويسنده , , Derycke، نويسنده , , V.، نويسنده , , Bourgoin، نويسنده , , J.-P.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2006

8

335

342

Carbon nanotube field-effect transistor(CNT-FET) , device modeling , microwave measurement.

IEEE Transactions on Nanotechnology

2006

IEEE Transactions on Nanotechnology

398845