Dependence of DC characteristics of CNT MOSFETs on bandstructure models

Koswatta، نويسنده , , S.O.، نويسنده , , Ch. Neophytou، نويسنده , , N.، نويسنده , , Kienle، نويسنده , , D.، نويسنده , , Fiori، نويسنده , , G.، نويسنده , , Lundstrom، نويسنده , , M.S.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2006

5

368

372

semiclassical. , Bandstructure , Boltzmann transport , carbonnanotube (CNT) field-effect transistors (CNT MOSFETs) , nonequilibrium Green’s function (NEGF)

IEEE Transactions on Nanotechnology

2006

IEEE Transactions on Nanotechnology

398850