Title of article
Dependence of DC characteristics of CNT MOSFETs on bandstructure models
Author/Authors
Koswatta، نويسنده , , S.O.، نويسنده , , Ch. Neophytou، نويسنده , , N.، نويسنده , , Kienle، نويسنده , , D.، نويسنده , , Fiori، نويسنده , , G.، نويسنده , , Lundstrom، نويسنده , , M.S.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2006
Pages
5
From page
368
To page
372
Keywords
semiclassical. , Bandstructure , Boltzmann transport , carbonnanotube (CNT) field-effect transistors (CNT MOSFETs) , nonequilibrium Green’s function (NEGF)
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2006
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398850
Link To Document