Fabrication and Room-Temperature Single-Charging Behavior of Self-Aligned Single-Dot Memory Devices

Xiaohui Tang، نويسنده , , Reckinger، Claude نويسنده , , N.، نويسنده , , Bayot، نويسنده , , V.، نويسنده , , W. Krzeminski، نويسنده , , C.، نويسنده , , Dubois، نويسنده , , E.، نويسنده , , Jean-Charles Villaret، نويسنده , , A.، نويسنده , , Bensahel، نويسنده , , D.-C.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2006

8

649

656

Arsenic-assisted etching and oxidation effects , Coulomb blockade effect , Nanotechnology , self-aligned floatinggate , single-electron memory.

IEEE Transactions on Nanotechnology

2006

IEEE Transactions on Nanotechnology

398886