Title of article
Fabrication and Room-Temperature Single-Charging Behavior of Self-Aligned Single-Dot Memory Devices
Author/Authors
Xiaohui Tang، نويسنده , , Reckinger، Claude نويسنده , , N.، نويسنده , , Bayot، نويسنده , , V.، نويسنده , , W. Krzeminski، نويسنده , , C.، نويسنده , , Dubois، نويسنده , , E.، نويسنده , , Jean-Charles Villaret، نويسنده , , A.، نويسنده , , Bensahel، نويسنده , , D.-C.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2006
Pages
8
From page
649
To page
656
Keywords
Arsenic-assisted etching and oxidation effects , Coulomb blockade effect , Nanotechnology , self-aligned floatinggate , single-electron memory.
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2006
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398886
Link To Document