Optimum Gate Workfunction for $V_{rm th}$-Controllable Four-Terminal-Driven Double-Gate MOSFETs (4T-XMOSFETs)—Band-Edge Workfunction Versus Midgap Workfunction

Masahara، نويسنده , , M.، نويسنده , , Oʹuchi، نويسنده , , S.-I.، نويسنده , , Liu، نويسنده , , Y.، نويسنده , , Sakamoto، نويسنده , , K.، نويسنده , , Endo، نويسنده , , K.، نويسنده , , Matsukawa، نويسنده , , T.، نويسنده , , Takashi Oguro and Kouei Sekigawa، نويسنده , , T.، نويسنده , , Koike، نويسنده , , H.، نويسنده , , Suzuki، نويسنده , , E.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2006

7

716

722

gate workfunction , th controllability , xMOSFET. , four-terminal-driven double-gate MOSFET , Band-edge workfunction , midgap workfunction , CMOS inverter

IEEE Transactions on Nanotechnology

2006

IEEE Transactions on Nanotechnology

398896