Investigation of the TiN Gate Electrode With Tunable Work Function and Its Application for FinFET Fabrication

Yongxun Liu، نويسنده , , Kijima، نويسنده , , S.، نويسنده , , Sugimata، نويسنده , , E.، نويسنده , , Masahara، نويسنده , , M.، نويسنده , , Endo، نويسنده , , K.، نويسنده , , Matsukawa، نويسنده , , T.، نويسنده , , Ishii، نويسنده , , K.، نويسنده , , Sakamoto، نويسنده , , K.، نويسنده , , Takashi Oguro and Kouei Sekigawa، نويسنده , , T.، نويسنده , , Yamauchi، نويسنده , , H.، نويسنده , , Takanashi، Hirokazu نويسنده , , Y.، نويسنده , , Suzuki، نويسنده , , E.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2006

8

723

730

Double-gate MOSFET , finFET , metal gate , tiNgate , work function.

IEEE Transactions on Nanotechnology

2006

IEEE Transactions on Nanotechnology

398897