Title of article
Investigation of the TiN Gate Electrode With Tunable Work Function and Its Application for FinFET Fabrication
Author/Authors
Yongxun Liu، نويسنده , , Kijima، نويسنده , , S.، نويسنده , , Sugimata، نويسنده , , E.، نويسنده , , Masahara، نويسنده , , M.، نويسنده , , Endo، نويسنده , , K.، نويسنده , , Matsukawa، نويسنده , , T.، نويسنده , , Ishii، نويسنده , , K.، نويسنده , , Sakamoto، نويسنده , , K.، نويسنده , , Takashi Oguro and Kouei Sekigawa، نويسنده , , T.، نويسنده , , Yamauchi، نويسنده , , H.، نويسنده , , Takanashi، Hirokazu نويسنده , , Y.، نويسنده , , Suzuki، نويسنده , , E.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2006
Pages
8
From page
723
To page
730
Keywords
Double-gate MOSFET , finFET , metal gate , tiNgate , work function.
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2006
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398897
Link To Document