Four-Terminal FinFETs Fabricated Using an Etch-Back Gate Separation

Endo، نويسنده , , K.، نويسنده , , Ishikawa، نويسنده , , Y.، نويسنده , , Yongxun Liu، نويسنده , , Ishii، نويسنده , , K.، نويسنده , , Matsukawa، نويسنده , , T.، نويسنده , , Oʹuchi، نويسنده , , S.، نويسنده , , Masahara، نويسنده , , M.، نويسنده , , Sugimata، نويسنده , , E.، نويسنده , , Tsukada، نويسنده , , J.، نويسنده , , Yamauchi، نويسنده , , H.، نويسنده , , Suzuki، نويسنده , , E.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2007

5

201

205

finFET , Etch-back , four-terminal , gate-separation , Vth control.

IEEE Transactions on Nanotechnology

2007

IEEE Transactions on Nanotechnology

398930