مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Quantum Simulation of Device Characteristics of Silicon Nanowire FETs

Title of article :

Quantum Simulation of Device Characteristics of Silicon Nanowire FETs

Author/Authors :

Shin، نويسنده , , M.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2007

Pages :

From page :

230

To page :

237

Keywords :

MOSFET , quantum transport. , Device simulation

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Serial Year :

2007

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Record number :

398935

Link To Document :