Title of article
Electron and Hole Current Characteristics of n-i-p-Type Semiconductor Quantum Dot Transistor
Author/Authors
Fujihashi، نويسنده , , C.، نويسنده , , Yukiya Hakuta، نويسنده , , T.، نويسنده , , Asenov، نويسنده , , A.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2007
Pages
8
From page
320
To page
327
Keywords
Electron and hole current , n-i-p type , stochastic theoretical solution. , quantumdot transistor
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2007
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398945
Link To Document