مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Theoretical Electron Mobility Analysis in Thin-Body FETs: Dependence on Substrate Orientation and Biaxial Strain

Title of article :

Theoretical Electron Mobility Analysis in Thin-Body FETs: Dependence on Substrate Orientation and Biaxial Strain

Author/Authors :

Sverdlov، نويسنده , , V.، نويسنده , , Ungersboeck، نويسنده , , S.E.، نويسنده , , Kosina، نويسنده , , H.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2007

Pages :

From page :

334

To page :

340

Keywords :

volume inversion. , Double-gate MOSFET , Monte Carlosimulations , Mobility

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Serial Year :

2007

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Record number :

398947

Link To Document :