A New Capacitorless 1T DRAM Cell: Surrounding Gate MOSFET With Vertical Channel (SGVC Cell

Hoon Jeong، نويسنده , , Ki-Whan Song، نويسنده , , Il-Han Park، نويسنده , , Tae-Hun Kim، نويسنده , , Yeun Seung Lee، نويسنده , , Seong-Goo Kim، نويسنده , , Jun Seo، نويسنده , , Kyoungyong Cho، نويسنده , , Kangyoon Lee، نويسنده , , Hyungcheol Shin، نويسنده , , Jong Duk Lee، نويسنده , , Byung-Gook Park، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2007

6

352

357

surrounding gate , vertical channel. , sensing margin , 1T DRAM cell , memory effect

IEEE Transactions on Nanotechnology

2007

IEEE Transactions on Nanotechnology

398949