مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Analysis of Scaling Strategies for Sub-30 nm Double-Gate SOI N-MOSFETs

Title of article :

Analysis of Scaling Strategies for Sub-30 nm Double-Gate SOI N-MOSFETs

Author/Authors :

Barin، نويسنده , , N.، نويسنده , , Braccioli، نويسنده , , M.، نويسنده , , Fiegna، نويسنده , , C.، نويسنده , , Sangiorgi، نويسنده , , E.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2007

Pages :

From page :

421

To page :

430

Keywords :

CMOS scaling , Device simulation , double-gateMOS , MOSFET , SOI.

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Serial Year :

2007

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Record number :

398959

Link To Document :