Thermal Stability Improvement of Ni–Germano silicide Utilizing Ni–Pd Alloy for Nanoscale CMOS Technology

Kim، نويسنده , , Y.-J.، نويسنده , , Oh، نويسنده , , S.-Y.، نويسنده , , Yun، نويسنده , , J.-G.، نويسنده , , Lee، نويسنده , , W.-J.، نويسنده , , Zhang، نويسنده , , Y.-Y.، نويسنده , , Zhong، نويسنده , , Z.، نويسنده , , Jung، نويسنده , , S.-Y.، نويسنده , , Ji، نويسنده , , H.-H.، نويسنده , , Cha، نويسنده , , H.-S.، نويسنده , , Kim، نويسنده , , Y.-C.، نويسنده , , Wang، نويسنده , , J.-S.، نويسنده , , Lee، نويسنده , , H.-D.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2007

7

431

437

sIgE , strained-Si , thermal stability. , Ni–germanosilicide , Ni–Pd alloy , Ni–Pd/Co/TiNtri-layer

IEEE Transactions on Nanotechnology

2007

IEEE Transactions on Nanotechnology

398960