The Impact of Random Dopant Aggregation in Source and Drain on the Performance of Ballistic DG Nano-MOSFETs: A NEGF Study

Martinez، نويسنده , , A.، نويسنده , , Barker، نويسنده , , J.R.، نويسنده , , Svizhenko، نويسنده , , A.، نويسنده , , Anantram، نويسنده , , M.P.، نويسنده , , Asenov، نويسنده , , A.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2007

8

438

445

Clustering of dopants , DG-MOSFET , nonequilibriumGreen functions.

IEEE Transactions on Nanotechnology

2007

IEEE Transactions on Nanotechnology

398961