Characterization of Domain Switching Behavior of MTJ Cells Using Magnetic Force Microscopy (MFM) and R–H Loop Analysis

Heo، نويسنده , , J.، نويسنده , , Kim، نويسنده , , K.، نويسنده , , Kim، نويسنده , , T.، نويسنده , , Chung، نويسنده , , I.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2008

3

169

171

magneticrandom access memory (MRAM) , vortex. , Magnetic force microscopy (MFM) , magnetic tunneling junction(MTJ)

IEEE Transactions on Nanotechnology

2008

IEEE Transactions on Nanotechnology

399033