مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Comparative Study on Drive Current of III–V Semiconductor, Ge and Si Channel n- mosfets based on Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation

Title of article :

Comparative Study on Drive Current of III–V Semiconductor, Ge and Si Channel n- mosfets based on Quantum-Corrected Monte Carlo Simulation

Author/Authors :

Mori، نويسنده , , T.، نويسنده , , Azuma، نويسنده , , Y.، نويسنده , , Tsuchiya، نويسنده , , H.، نويسنده , , Miyoshi ، نويسنده , , T.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2008

Pages :

From page :

237

To page :

241

Keywords :

Ballistic transport , quantum-corrected MonteCarlo (MC) simulation. , drive current , high mobilitychannel materials , nanoscale MOSFETs

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Serial Year :

2008

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Record number :

399045

Link To Document :