Author/Authors :
T. Ezaki، نويسنده , , D. Navarro، نويسنده , , Y. Takeda، نويسنده , , N. Sadachika، نويسنده , , G. Suzuki، نويسنده , , M. Miura-Mattausch، نويسنده , , H.J. Mattausch، نويسنده , , T. Ohguro، نويسنده , , T. Iizuka، نويسنده , , M. Taguchi، نويسنده , , S. Kumashiro، نويسنده , , S. Miyamoto، نويسنده ,
Abstract :
We develop a non-quasi-static MOSFET compact model suitable for simulating RF circuits operating under GHz frequency. The model takes into account the carrier dynamics by incorporating the time delay for the carriers to form a channel. Both the time-domain and frequency-domain expressions are successfully derived from the same basic equation by using the propo
Keywords :
Non-quasi-static effect , Surface-potential , Frequency domain , MOSFET compact model , Time domain
