4322

ترابري الكتروني در GaN

تهران

وزارت علوم و تحقيقات و فناوري

1380

0

ترابري الكتروني در }GaN{ , نجوم , فيزيك

ترابري الكترون در }GAN{ به خاطر اهميت آن در برخي قطعات ، نظير قطعات الكترونيكي دماي بالا و نيز ديودههاي نوري و ليزرها كه در محدوده طيفي مريي و فرابنفش تابش مي كنند مورد توجه زيادي قرار گرفته است . خواص ذاتي نيمرسانا مي تواند بر اثر وجود مراكز پراكندگي ، نظير ناخالصيها و يا دررفتگيها، كه ممكن است به هنگام رشد ايجاد شده باشند تغيير كند. در اين مقاله به خواص ترابري يك لايه }GAN{ مي پردازيم كه چگالي دررفتگي آن كم و در حدود ... است . اين لايه بر روي زير لايه اي از جنس }SAPPHIRE{ نشانده شده كه قبلا" با لايه اي نازك از نيتريد سيليكون اندود شده است . نتايج تجربي حاصل از بستگي دمايي اثر هال و مقاومت ديژه با استفاده از مدل دو نواري ، شامل نوار رسانش و يك نوار ناخالصي كم عمق مورد بررسي قرار گرفته است . براي تحليل تحريك حاملها در نوار رسانش از تقريب زمان و اهلش و حل معادله بولتزمن استفاده شده است . اين محاسبات در بردارنده پراكندگي حاصل از فونونهاي انبساطي (انقباضي ) شبكه ، پيزوالكتريك و قطبي اپتيكي شبكه ، همچنين پراكندگي مربوط به ناخالصيهاي يونيده ، خنثي و دررفتگيها است .....