شماره ركورد :
50325
شماره مدرك :
4367343
نويسنده/تنالگان :
Chen Jr-Tai
عنوان :
MOCVD Growth Of Gan-Based High Electron Mobility Transistor Structures
اطلاعات نشر :
Linkoping University
سال نشر :
2015
شابك :
9789175190730
Link To Document :
https://search.ricest.ac.ir/dl/search/defaultta.aspx?DTC=26&DC=50325
