دراسة وحساب عمق المجال النشط ضوئياً لاغلفة عاكسة للضوء اساسها مساحيق اكسيد الزنك

نعرض في هذا البحث نتائج دراسة وحساب عمق المجال النشط ضوئياً لغلاف عاكس لضوء بطريقة الانتثار تبعاً لتشتتية او انتثارية حبيبات الصبغة المستعملة في الغلاف ولطول موجة الاشعاع الكهرطيسي الوارد عليه حيث تغيرت ابعاد حبيبات مسحوق اكسيد الزنك ضمن المجال 0/2 μm من حتى μm 10. يدخل في تركيب الغلاف العاكس للضوء مسحوق اكسيد الزنك ZnO وطبقة عضوية تكون بمثابة غشاء رابط. كما تم حساب اعماق المجال النشط ضوئياً للغلاف العاكس للضوء بطريقة الانتثار عند تغير معامل امتصاص الصبغة الداخلة في تركيب الغلاف (ZnO / رابط) ضمن المجال من cm(-1) 0/1 الى اكثر منcm(-1) 1000 . ان النتائج التي حصلنا عليها في هذا البحث تسمح لنا بتحسين سماكة الاغلفة العاكسة للضوء بطريقة الانتثار لدى تحضير انواع محددة منها.