استفاده از خازن منفي براي افزايش فركانس در اسيلاتورهاي حلقوي با بار مقاومتي

این مقاله برای افزایش فركانس نوسان در اسیلاتورهای حلقوی روشی را پیشنهاد می كند كه مبنای انتخاب آن از روابطی نشأت میگیرد –كه برای تعیین فركانس نوسان این نوع از اسیلاتورها استفاده می شود، بطوریكه طبق روابط بدست آمده برای محاسبه فركانس نوسان دراسیلاتورهای حلقوی، همواره با كاهش خازن های گره خروجی، فركانس نوسان افزایش خواهد یافت. لذا در روش پیشنهادی، با استفاده از سلول های ایجاد كننده خازن منفی حتّی زمانی كه خازن گره خروجی فقط ناشی از خازنهای پیوندی ترانزیستورها باشد، می توان فركانس را افزایش داد. كارایی این روش با شبیه سازی یك اسیلاتور حلقوی 3 طبقه بررسی شده كه طبقات بهره در آن، تقویت كننده های سورس مشتركی اند كه از ترانزیستورهایTSMC CMOS 0.18 um و مقاومت اهمی متصل به درین شكل گرفته اند. شبیه سازی این اسیلاتور حلقوی نوعی، افزایش 9 برابری فركانس نوسان را نشان داده است. این نتیجه حتّی بهتر از حالتی است كه از خازن منفی ایده آل در گره های خروجی اسیلاتور شبیه سازی شده در این مقاله استفاده شده است.